DDR5内存时序延迟计算器
输入DDR5数据速率与CL-tRCD-tRP-tRAS时序参数，换算成实际纳秒延迟，并计算行命中/行未命中/行冲突三种场景的真实访问延迟。
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使用说明
1. 填写内存数据速率，如DDR5-5600即填5600(单位MT/s)；
2. 依次填写CL、tRCD、tRP、tRAS四个时序参数(可在内存条标签或购买页面找到，格式通常为"36-36-36-76"这样的四个数字)；
3. 点击"计算实际延迟"查看时钟周期时间以及CL/tRCD/tRP/tRAS各自的纳秒值，以及行命中/行未命中/行冲突三种场景的真实访问延迟；
4. 点击"加载示例数据(DDR5-5600 CL36)"快速体验典型参数。
纯本地公式计算，实际内存控制器延迟还受tCCD/tFAW/刷新周期等更多参数影响，仅供快速对比参考。
功能介绍
内存条标注的CL36-36-36等时序数字，单位是"时钟周期数"，同样的数字在不同数据速率下对应的实际纳秒延迟并不相同。本工具按DDR双倍数据速率的标准换算公式，把时序参数转成可直接比较的纳秒延迟。
- 时钟周期时间(ns) = 2000 ÷ 数据速率(MT/s)，因为DDR每个时钟周期传输2次数据
- CL、tRCD、tRP、tRAS分别换算成对应纳秒值
- 行命中延迟 ≈ CL(数据行已打开，直接读取)
- 行未命中延迟 ≈ tRCD + CL(需要先激活目标行)
- 行冲突延迟 ≈ tRP + tRCD + CL(需要先关闭当前行，再打开新行)
使用场景
内存条选购对比
把不同速率/时序组合的内存条换算成统一的纳秒延迟，做真正可比较的选购决策，而不是只看CL数字大小。
超频前后延迟对比
输入超频前后的数据速率和时序，直观看到超频对实际访问延迟带来的改善幅度。
常见问题
为什么同样是CL36，不同内存条的实际延迟不一样？
CL是"时钟周期数"而非固定时间单位。数据速率越高，每个时钟周期越短，同样36个周期对应的纳秒延迟就越小。所以DDR5-6400 CL36的实际延迟比DDR5-4800 CL36更短，比较内存延迟时必须换算成纳秒才有意义。
行命中、行未命中、行冲突分别是什么意思？
DRAM按"行(Row)"组织数据，一次访问前必须先"打开"目标行才能读写。行命中指要访问的数据所在行已经打开，可直接按CL延迟读取；行未命中指目标行还没打开，需要先花tRCD时间激活；行冲突指当前打开的是另一行，必须先花tRP关闭，再花tRCD打开目标行，是最慢的情况。
tRAS参数在本工具里是怎么用的？
tRAS(行有效最短时间)本工具单独换算展示供参考，但未直接参与行命中/未命中/冲突三个延迟公式的计算——它是DRAM内部对"一行打开后最短必须保持多久才能关闭"的约束，实际影响的是连续访问的调度效率而非单次访问延迟。